半導體曝光設備原理

半導體曝光設備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺組成。從光源發(fā)出的紫外光通過聚光透鏡調整，使其指向同一方向。之后，紫外光穿過作為構成電路圖案的一層的原型的光掩模，并通過投影透鏡減少光線，將半導體元件的電路圖案（的一層）轉移到半導體元件上。馬蘇。在諸如步進機之類的曝光設備中，在完成一次轉移之后，通過平臺移動硅晶片，并將相同的電路圖案轉移到硅晶片上的另一位置。通過更換光掩模，可以轉印半導體器件的另一層電路圖案。

所使用的光源包括波長為248 nm的KrF準分子激光器、波長為193 nm的ArF準分子激光器以及波長為13 nm的EUV光源。

最新半導體制造工藝的設計規(guī)則（最小加工尺寸）越來越細化至3至5納米左右，因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺都需要納米級的高精度。此外，隨著層壓的進行，進行多次曝光以改變電路圖案并形成單個半導體。